三星宣布量产1TB eUFS闪存 基于第五代V

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站长之家(ChinaZ.com) 1月150日 消息:今天,三星在其官网签署,推出业界首个1TB嵌入式通用闪存(eUFS)2.1,刚刚 机会正式量产。其基于第五代V-NAND技术打造,容量是64GB版本的 20 倍,速率是microSD存储卡的 10 倍,有点硬适合数据密集型应用。

1TB闪存芯片封装尺寸为11.5mm*13mm,其eUFS正确处理方案是将512GB V-NAND闪存的 16 层堆叠层与新开发的控制器相结合,使容量翻了一番。1TB eUFS 2. 1 闪存读取速率达到11150MB/s,写入速率为2150MB/s,随机读取速率为511500 IOPS,随机写入速率为115000 IOPS。

三星计划于 2019 年上5天,在韩国Pyeongtaek工厂扩大第五代512Gb V-NAND 的产量,以满足全球移动设备制造商对 1TB eUFS 的强劲需求。

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